Краткая справка — что такое FinFET

FinFET

Термин FinFET начали применять в Университете Калифорнии, Беркли для описания непланарных, двухгейтовых транзисторов, выстроенных в целом в соответствии с одногейтовым дизайном DELTA. Главная черта FinFET — то, что проводящий канал обернут узким кремниевым "fin", что формирует тело устройства.

Толщина финишного покрытия (измеренная в направлении от Source к Draine определяет длину действенного канала устройства. Структура "обернутого гейта" снабжает лучшее электрическое управление каналом и оказывает помощь сократить другие эффекты и утечку тока, свойственные маленьким каналам.

На данный момент термин употребляется в более широком смысле. Производители процессоров именуют FinFET фактически каждые собственные двухгейтовые разработки (AMD, IBM, Freescale, Qualcomm), в то время как Intel избегает применять данный термин. В технической литературе термин может обрисовывать фактически каждые многогейтовые транзисторы, независимо от числа гейтов.

Первые показы 25 нм транзистора TSMC, трудящегося всего от 0.7 В состоялись еще в декабре 2002 года. Задержка переключения гейта составила всего 0.39 пикосекунд для транзистора N-типа и 0.88 для транзистора P-типа.

С 2012 года Intel начала применять FinFET для разработок будущих коммерческих продуктов.

С начала 2013 и ноября года производство 16 нм FinFET.

{{204971}}
Источник картины

FinFET разрешает сохранить площадь соприкосновения чипа с подложкой при уменьшении площади подложки. Переход от планарной структуры к объемной 3D-структуре FinFET обещает выигрыш в площади, нужной для размещения чипа на печатной плате.

На апрель 2014 года одним из фаворитов в области FinFET считается компания Qualcomm. Разработка употребляется, к примеру, в чипсете Snapdragon 820, что, как ожидается, начнет сэмплироваться во второй половине 2015 года.

В 2015-2016 годы ожидается начало выпуска 16 нм FinFET Turbo.

© Алексей Бойко, MForum.ru , страница создана 2011-03-29