Корпорация Intel на протяжении ежегодной конференции для разработчиков IDF 2015 представила новую разработку энергонезависимой памяти называющиеся 3D XPoint, созданную в сотрудничестве с компанией Micron. Как пишет портал THG, память 3D XPoint разрешает создать новую категорию устройств хранения данных в первый раз со времен выхода на рынок флеш-памяти NAND во второй половине 80-ых годов XX века. Наряду с этим разработка 3D XPoint снабжает в тысячу раз более высокую скорость обмена данными с памятью по сравнению со стандартом NAND. Новая разработка объединяет в себе преимущества существующих на рынке разработок производства памяти: она отличается высокой плотностью и производительностью размещения компонентов, доступной ценой и низким энергопотреблением.

На протяжении презентации председатель совета директоров корпорации Intel Брайан Кржанич показал сравнительный тест раннего прототипа производительной модели и новой памяти SSD DC P3700. Скорость работы прототипа в записи и операциях чтения появилась в пять-семь раз выше, чем у SSD DC P3700.

Интернет-издание Ferra отмечает, что новая память займет место между NAND и DRAM (база оперативной памяти) — до скорости последней новая разработка не дотягивает, но наряду с этим энергонезависима.

Согласно точки зрения Кржанича, всецело раскрыть возможности 3D Xpoint возможно, лишь поменяв архитектуру операционных систем и компьютеров.

Ожидается, что носители, основанные на технологии 3D XPoint, покажутся на рынке уже в 2016 году под брендом Intel Optane Technology.